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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng )建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計劃于 2025 上半年實(shí)現量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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長(cháng)江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專(zhuān)利
- IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長(cháng)江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長(cháng)江存儲的 11 項專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(cháng)江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷(xiāo)售侵權的存儲產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費。長(cháng)江存儲指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？
- NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限，無(wú)法再進(jìn)一步擴展。
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤(pán)，能否搶占先機？
- 內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)（SSD），專(zhuān)為滿(mǎn)足企業(yè)用戶(hù)的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來(lái)甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤(pán)。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤(pán)容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤(pán)則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場(chǎng)將面臨的競爭相對較少，因
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鎧俠產(chǎn)能滿(mǎn)載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng )板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線(xiàn)稼動(dòng)率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開(kāi)拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開(kāi)始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數據存儲元件，和現行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫(xiě)入數據時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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NAND市場(chǎng)，激戰打響
- 隨著(zhù)人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類(lèi)型之分，
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鎧俠結束減產(chǎn)？?jì)勺鵑AND工廠(chǎng)開(kāi)工率提高至100%
- 據日經(jīng)新聞報道，鑒于市場(chǎng)正在復蘇，日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠已結束持續20個(gè)月的減產(chǎn)行動(dòng)，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱(chēng)，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠(chǎng)的生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率提高至100%。而隨著(zhù)業(yè)務(wù)好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱(chēng)，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會(huì )繼續根據
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍
- IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場(chǎng)分析機構 Omdia 的話(huà)稱(chēng)，2027 年 QLC 市場(chǎng)規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話(huà)說(shuō)，未來(lái)三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現？
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長(cháng)期使用所導致的性能下降方面實(shí)現大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現業(yè)界最高
- 關(guān)鍵字： SK海力士 AI 存儲 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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